随着半导体IC技术的快速发展,其集成化程度越来越高,制造工艺越来越精密复杂,但对外部环境的抗干扰能力却随之减弱,更易受到ESD静电放电和Surge浪涌过冲等EOS过电应力的干扰和破坏。在过压保护领域,瞬态电压抑制器TVS得到了广泛应用。然而常规工艺TVS防护器件由于器件架构及工艺水平的限制已无法做到有效且不影响电路性能的防护,客户应用中需要钳位电压更低,结电容小,防护效果更优的保护器件。

作为国内领先的模拟与分立半导体设计公司,豪威集团旗下的韦尔半导体一直专注于高效能电路保护器件的工艺研发,其在常规DIODE工艺基础上结合触发管特性设计出全新SCR工艺特性防护器件。新工艺TVS器件具有超低钳位电压,相比常规工艺TVS防护效果更优,同时具有极低的结电容,适用于保护高速信号端口芯片不受ESD/Surge干扰而损坏。

目前韦尔半导体已打造出多款适用于新型电子领域的过压保护器件,使用时并联在被保护信号电路两端,具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、可靠性高等特点。其中ESD73144D和ESD73311CZ两款产品主要应用于USB2.0/3.2及HDMI1.3/1.4/2.0等高速信号线的防护。

ESD73144D作为四路/单向超低电容TVS产品,采用DFN2510-10L封装,可满足轻薄小巧的便携式电子产品对于组件封装的严苛要求。在ESD耐受能力方面,ESD73144D提供了高达±15kV(接触放电)的ESD保护能力,并能承受高达8A (8/20μs)的峰值脉冲电流。该保护器件拥有超低箝制电压,可有效防止电子元件免受EOS过电应力的损伤,从而为高速数据接口保驾护航。